એક શુદ્ધ અવરોધ ધરાવતા પરિપથમાં જે $AC$ સ્ત્રોત સાથે જોડાયેલ છે,

એક $ac$ સર્કિટમાં,$e=200 \sqrt{2} \sin 100 t$ વોલ્ટનો ઓલ્ટરનેટિંગ વોલ્ટેજ $1 \; \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટર સાથે જોડાયેલ છે. સર્કિટમાં પ્રવાહનું $rms$ મૂલ્ય ..... $mA$ છે.

શૂન્ય અવરોધ ધરાવતા ઇન્ડક્ટન્સવાળા પરિપથમાં,લાગુ પાડેલ $ac$ વોલ્ટેજનો $e.m.f.$ પ્રવાહ કરતા ......$^o$ આગળ હોય છે.

એક નાનો સિગ્નલ વોલ્ટેજ $V(t) = V_0 \sin(\omega t)$ ને એક આદર્શ કેપેસિટર $C$ ને સમાંતર લાગુ કરવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

સ્ત્રોતની આવૃત્તિને શ્રેણી $LCR$ સર્કિટની રેઝોનન્ટ આવૃત્તિ જેટલી રાખીને,જો ત્રણ ઘટકો $L, C$ અને $R$ ને સમાંતર જોડવામાં આવે,તો સાબિત કરો કે આ આવૃત્તિ પર સમાંતર $LCR$ સર્કિટમાં કુલ પ્રવાહ ન્યૂનતમ હોય છે. નીચે આપેલ સર્કિટની દરેક શાખામાં $rms$ પ્રવાહનું મૂલ્ય મેળવો.
આકૃતિમાં ચલિત આવૃત્તિ ધરાવતા $230\; V$ ના સ્ત્રોત સાથે જોડાયેલ શ્રેણી $LCR$ સર્કિટ દર્શાવેલ છે. $L=5.0\; H, C=80\; \mu F, R=40\; \Omega$.

જો આપણે શુદ્ધ કેપેસિટીવ લોડ સાથે લાગુ કરેલ $A.C.$ ની આવૃત્તિ ઘટાડીએ,તો $(1)$ $V_c$ નો કંપનવિસ્તાર અને $(2)$ $I_c$ નો કંપનવિસ્તાર વધશે,ઘટશે કે સમાન રહેશે?