એક શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં $301 \ K$ તાપમાને ઇલેક્ટ્રોન-હોલ સાંદ્રતા $10^{16} \ m^{-3}$ છે. હવે,દર ઘન મીટર દીઠ $10^{21}$ ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે. સિલિકોનમાં નવી હોલ સાંદ્રતા (દર $m^3$ દીઠ) કેટલી હશે?

$P$-પ્રકારના અર્ધવાહકમાં, એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \text{ meV}$ પર છે. હોલનું નિર્માણ કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ ($\mathring{A}$ માં) કેટલી હશે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h = 4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. તો ડોપ્ડ સિલિકોનમાં $n_e$ કેટલું હશે?

$P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં શું હોય છે?

સિલિકોનમાં ડોનર (દાતા) ની લાક્ષણિક આયનીકરણ ઉર્જા .....$eV$ છે.

અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટીને તેમના ડ્રિફ્ટ વેગ અને લાગુ કરેલા વિદ્યુતક્ષેત્રના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. જો $n$-પ્રકારના અર્ધવાહક માટે,ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $10^{19} \ m^{-3}$ હોય અને તેમની મોબિલિટી $1.6 \ m^2/(V \cdot s)$ હોય,તો અર્ધવાહકની અવરોધકતા (કારણ કે તે $n$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,હોલ્સનું યોગદાન અવગણવામાં આવે છે) ................ $\Omega \cdot m$ ની નજીક છે.