एक अर्धचालक में,इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता $8 \times 10^{14} \text{ cm}^{-3}$ है और होल्स की सांद्रता $5 \times 10^{12} \text{ cm}^{-3}$ है। यह अर्धचालक है

$P-$ प्रकार के अर्धचालक में एक होल होता है

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल की चालकता क्या होगी? प्रति $cm^3$ इलेक्ट्रॉन-होल जोड़ों की संख्या $1.072 \times 10^{10}$ है। दिया गया है: $\mu_n = 1350 \ cm^2/V \cdot s$ और $\mu_p = 480 \ cm^2/V \cdot s$.

एक शुद्ध अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता समान $10^{16} \ m^{-3}$ है। गैलियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_{h}$ बढ़कर $5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाता है। तो,डोप्ड अर्धचालक में $n_{e}$ का मान क्या होगा?

जब एक अर्धचालक की चालकता केवल सहसंयोजक बंधों के टूटने के कारण होती है,तो उस अर्धचालक को क्या कहा जाता है?

$P$-प्रकार के $Si$ अर्धचालक प्राप्त करने के लिए,हमें शुद्ध $Si$ को किसके साथ डोप करना होगा?