એક સેમિકન્ડક્ટર ડાયોડમાં,$P$-સાઇડને અર્થિંગ કરવામાં આવે છે અને $N$-સાઇડને $-2\,V$ ના પોટેન્શિયલ પર રાખવામાં આવે છે,તો ડાયોડ

સિલિકોન ડાયોડ માટે કટ-ઇન વોલ્ટેજ આશરે $V$ છે.

આપેલ આકૃતિમાં,કયા ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં છે?

એક સેમિકન્ડક્ટર $(Ge - As)$ નો એનર્જી ગેપ $1.43\, eV$ છે. જ્યારે આવા સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ અને ઈલેક્ટ્રોનનું પુનઃસંયોજન થાય ત્યારે ઉત્સર્જિત થતી મહત્તમ તરંગલંબાઈ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે?

નીચે આપેલ પરિપથમાં $A$ અને $B$ વચ્ચેનો સમતુલ્ય અવરોધ ..... $\Omega$ છે.

આકૃતિમાં ડાયોડના $V-I$ લાક્ષણિકતાઓ દર્શાવેલ છે. ફોરવર્ડ બાયસ અને રિવર્સ બાયસ અવરોધનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?