क्रिस्टलीय सिलिकॉन में,$Si$ परमाणु सभी $ccp$ साइटों और प्रत्येक एकांतर चतुष्फलकीय रिक्ति (tetrahedral void) पर कब्जा करते हैं। पैकिंग दक्षता का मान $....\%$ के सबसे निकट है।

$hcp$ (षट्कोणीय क्लोज-पैक्ड) संरचना में क्रिस्टलीकृत होने वाली दो धातुओं के उदाहरण दीजिए।

तत्व $X$ के परमाणु $hcp$ जालक बनाते हैं और तत्व $Y$ के परमाणु इसके $\frac{2}{3}$ चतुष्फलकीय रिक्तियों को घेरते हैं। जालक में तत्व $X$ का प्रतिशत ..... है। (निकटतम पूर्णांक)

$A$ और $B$ तत्वों से बना एक यौगिक $CCP$ संरचना में क्रिस्टलीकृत होता है। $A$ के परमाणु कोनों पर हैं और $B$ के परमाणु फलक केंद्रों पर हैं। यदि इकाई सेल से $A$ के दो परमाणु गायब हैं,तो यौगिक का आणविक सूत्र क्या है?

मिश्रित ऑक्साइड की संरचना में,ऑक्साइड आयन $CCP$ में हैं। चतुष्फलकीय रिक्तियों का पांचवां भाग द्विसंयोजक आयन $(A^{2+})$ द्वारा भरा हुआ है जबकि अष्टफलकीय रिक्तियों का आधा भाग त्रिसंयोजक आयन $(B^{3+})$ द्वारा भरा हुआ है। ऑक्साइड का सूत्र क्या है?

रिक्त स्थानों की पूर्ति कीजिए:
$(a)$ $ccp$ संरचना में $a = \dots \dots r$.
$(b)$ $hcp$ संरचना में संकुलन क्षमता $= \dots \dots \%$.
$(c)$ $bcc$ संरचना में संकुलन क्षमता का प्रतिशत $= \dots \dots \%$.