ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર (photoelectric effect) માં,જો પ્રકાશની તીવ્રતા (intensity) બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા (maximum kinetic energy) કેટલી થશે?

જ્યારે એકવર્ણી પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.2 \ m$ ના અંતરે હોય,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને સંતૃપ્ત ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ અનુક્રમે $0.6 \ V$ અને $18 \ mA$ છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.6 \ m$ દૂર મૂકવામાં આવે,તો:

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.3 \text{ eV}$ છે અને જ્યારે તેના પર ફોટોન આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $0.3 \text{ eV}$ છે. આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ $\mathring A$ માં શોધો.

એક ફોટો-એમિસિવ પદાર્થને $\lambda_i$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે જેથી તે $\lambda_c$ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકે તેવા વિકિરણની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ $\lambda_0$ છે. ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ માટેનું સૂત્ર શું છે? ($m$: ઇલેક્ટ્રોનનું દળ,$h$: પ્લાન્કનો અચળાંક અને $c$: પ્રકાશની ઝડપ).

$1.6 \times 10^{15} \ Hz$ ની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ અને $8 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રૉન્સની મહત્તમ ગતિઊર્જા .......... $eV$ છે. (આપેલ છે: $h = 6.6 \times 10^{-34} \ Js, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J$)

ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $4.8 \ m/s$ છે. જો ઈલેક્ટ્રોનનો $e/m$ ગુણોત્તર $1.76 \times 10^{11} \ C/kg$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ...... છે.