આપેલ પરિપથમાં,જો ડાયોડ માટે ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ ડ્રોપ $0.5\, V$ હોય,તો પરિપથમાં વહેતો પ્રવાહ.....$mA$ થશે.

નીચે આપેલા વિધાનો $A$ અને $B$ ને ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:
$A:$ $P-N$ જંકશન ડાયોડમાં ફોરવર્ડ બાયસમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ વધે છે.
$B:$ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં,ફર્મી એનર્જી લેવલ ફોરબિડન ગેપની બરાબર મધ્યમાં હોય છે.

ફોરવર્ડ બાયસ મોડમાં,$p-n$ જંકશન ડાયોડ

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક ડાયોડને $220 \, V \, (rms) \, ac$ સાથે કેપેસિટરના શ્રેણી જોડાણમાં જોડવામાં આવ્યો છે. કેપેસિટર પરનો વોલ્ટેજ કેટલો હશે?

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં બેન્ડ ગેપ $0.6 eV$ છે. આ સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડી બનાવવા માટે સક્ષમ ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક રેડિયેશનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($nm$ માં)? [$hc = 1242 eV-nm$ નો ઉપયોગ કરો]

એક આદર્શ જંકશન ડાયોડમાં, $PQ$ માંથી વહેતો પ્રવાહ કેટલો છે? (અવરોધ $2 \text{ k}\Omega$ છે).