$H_2SO_4$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચનામાં,અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યા કેટલી છે?

  • A
    $20$
  • B
    $16$
  • C
    $12$
  • D
    $8$

Explore More

Similar Questions

નીચેના માટે કારણો આપો:
$A$. સહસંયોજક બંધ દિશાત્મક બંધ છે જ્યારે આયનીય બંધ બિન-દિશાત્મક છે.
$B$. પાણીના અણુનું બંધારણ વળેલું (bent) છે જ્યારે કાર્બન ડાયોક્સાઇડના અણુનું બંધારણ રેખીય છે.
$C$. ઇથાઇન અણુ રેખીય છે.

નીચેની સ્પીસીઝને ધ્યાનમાં લો અને ખોટું વિધાન પસંદ કરો $:-$ $NH_3, PCl_4^{\oplus}, NH_2^{-}, SO_2, SO_3, BF_3, PCl_3, IF_7$

નીચેનામાંથી ખોટા વિધાનો ઓળખો:
$(i) \ SF_6$ પાણી સાથે પ્રક્રિયા કરતું નથી
$(ii) \ SF_6$ એ $sp^3d$ સંકરણ ધરાવે છે
$(iii) \ S_2O_3^{2-}$ એ રેખીય આયન છે
$(iv) \ SO_4^{2-}$ આયનમાં કોઈ $\pi$-બંધન નથી

$CuSO_4 \cdot 5H_2O$ માં હાજર બંધો કયા છે?

નીચેનામાંથી કયો સેટ સાચો છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo