ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v_1$ હોય, તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(K.E.)$ $K_0$ છે. જો પ્રકાશની આવૃત્તિ $v_2$ હોય, તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $2K_0$ થાય છે. નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં, ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $200 \, nm$ થી બદલીને $400 \, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે કેટલો હશે ($ \, V$ માં)? [$hc = 1240 \, eV \cdot nm$ નો ઉપયોગ કરો, જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ પ્રકાશનો વેગ છે].

એક ફોટો-ઈમિશન પ્રયોગમાં,ધાતુઓ $P, Q$ અને $R$ માંથી ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અનુક્રમે $E_P, E_Q$ અને $E_R$ છે,અને તેઓ $E_P = 2E_Q = 2E_R$ સંબંધ ધરાવે છે. આ પ્રયોગમાં,ધાતુઓ $P$ અને $Q$ માટે સમાન મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશના સ્ત્રોતનો ઉપયોગ થાય છે,જ્યારે ધાતુ $R$ માટે અલગ મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશના સ્ત્રોતનો ઉપયોગ થાય છે. ધાતુઓ $P, Q$ અને $R$ ના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $4.0 \ eV$,$4.5 \ eV$ અને $5.5 \ eV$ છે. ધાતુ $R$ માટે વપરાતા આપાત ફોટોનની ઊર્જા,$eV$ માં,કેટલી હશે?

એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય $4.0 \ eV$ છે. પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ કે જે આ પદાર્થમાંથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરાવી શકે,તેનું આશરે મૂલ્ય ............ $nm$ છે.

બે સમાન કેપેસિટર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ગોઠવેલા છે. પ્લેટ $1$ નું વર્ક ફંક્શન $\phi \ eV$ છે. બેટરીનું $emf$ $\frac{\phi}{e}$ છે. જો આપાત ફોટોનની ઉર્જા $hv$ હોય,તો પ્લેટ $2$ પર પહોંચતા $e^-$ ની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા કેટલી હશે?

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ