$E$ ઊર્જા ધરાવતો પ્રકાશ $\frac{E}{3}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $K$ કેટલી હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં $310 \,nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વપરાય છે. પ્રયોગમાં $2.5 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતા ધાતુના ઈલેક્ટ્રોડનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)? (ધારો કે $hc = 1240 \,eV-nm$)

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

$1 \times 10^{-4} \, m^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર $16 \, mW/m^2$ તીવ્રતા ધરાવતા વિકિરણ આપાત થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય $5 \, eV$ છે. આપાત ફોટોનની ઊર્જા $10 \, eV$ છે અને માત્ર $10\%$ ફોટોન ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે. પ્રતિ સેકન્ડ ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને તેમની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા અનુક્રમે કેટલી હશે? $[1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J]$

જ્યારે $8 \times 10^{14} \ Hz$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો ઈલેક્ટ્રોન $7 \times 10^5 \ m/s$ ની મહત્તમ ઝડપ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. આ સપાટી માટે થ્રેસોલ્ડ આવૃત્તિ .......... છે.

જો સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $6800 \mathring{A}$ હોય,તો વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ............. $eV$ થશે.