$n^{th}$ કક્ષામાં ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા એક સંપૂર્ણ પરિભ્રમણમાં ઉત્પન્ન થતા તરંગોની સંખ્યા કેટલી છે?

$1.0 \times 10^3 \ m \ s^{-1}$ ના વેગથી ગતિ કરતા પ્રોટોન સાથે સંકળાયેલ તરંગલંબાઈ (નેનોમીટરમાં) ગણો. (પ્રોટોનનું દળ $= 1.67 \times 10^{-27} \ kg$ અને $h = 6.63 \times 10^{-34} \ J \ s$)

નીચેનામાંથી કયા માટે ગાણિતિક સમીકરણ $\lambda = \frac{h}{p}$ લાગુ પડે છે?

દ-બ્રોગ્લી તરંગનો વેગ નીચેનામાંથી કયા સમીકરણ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે?

જો તરંગલંબાઈ $(\lambda)$ એ ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા એક સેકન્ડમાં કાપેલા અંતર જેટલી હોય, તો નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે? $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $m$ એ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે.

$1.2 \times 10^5 \ m \ s^{-1}$ ના વેગથી ગતિ કરતા ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?