$5.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,જે $4.0 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિજ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. આ ઈલેક્ટ્રોન માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ .......... $V$ છે.

પ્રકાશ તરંગ સાથે સંકળાયેલ બિંદુ પર વિદ્યુતક્ષેત્ર $E = 200 [\sin(6 \times 10^{15} t) + \sin(9 \times 10^{15} t)] \, Vm^{-1}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે. આપેલ છે: $h = 4.14 \times 10^{-15} \, eVs$. જો આ પ્રકાશ $2.50 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ........... $eV$ હશે.

જ્યારે $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સામગ્રી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $E$ છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $3\nu$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

એક ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2.1 \text{ eV}$ છે. નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઈ તેની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકશે?

બે એક સમાન ફોટો-કેથોડ $f_1$ અને $f_2$ આવૃત્તિઓનો પ્રકાશ પ્રાપ્ત કરે છે. જો બહાર નીકળતાં (દળ $m$ ના) ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનના વેગો અનુક્રમે $v_1$ અને $v_2$ હોય,તો:

બે અલગ-અલગ આવૃત્તિઓનો પ્રકાશ જેના ફોટોનની ઉર્જા અનુક્રમે $1 \text{ eV}$ અને $2.5 \text{ eV}$ છે,તે એક ધાતુની સપાટી પર વારાફરતી આપાત થાય છે જેનું કાર્ય વિધેય (work function) $0.5 \text{ eV}$ છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?