એક ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2.1 \text{ eV}$ છે. નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઈ તેની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકશે?

એક ચોક્કસ ધાતુમાંથી થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v$ પર ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થાય છે. જો $4v$ આવૃત્તિનું વિકિરણ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? ($m=$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું દળ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક)

પોટેશિયમ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ (વર્ક ફંક્શન $2 \ eV$ છે) ........... $nm$ છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$1.5 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર ત્રણ અલગ-અલગ પ્રકાશ આપાત થાય છે. પ્રકાશ $A$ ની તરંગલંબાઇ $200 \ nm$ અને તીવ્રતા $1.8 \ W/m^2$ છે,પ્રકાશ $B$ ની તરંગલંબાઇ $400 \ nm$ અને તીવ્રતા $1 \ W/m^2$ છે,અને પ્રકાશ $C$ ની તરંગલંબાઇ $600 \ nm$ અને તીવ્રતા $0.5 \ W/m^2$ છે. ફોટોકરન્ટ વિરુદ્ધ વોલ્ટેજ માપવામાં આવે છે. કયો આલેખ કયા પ્રકાશને અનુરૂપ છે?

ધાતુ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $1.8 \times 10^{6} \ m/s$ છે. ઇલેક્ટ્રોનનો વિશિષ્ટ વીજભાર $1.8 \times 10^{11} \ C/kg$ લો. તો વોલ્ટમાં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે?

આઈન્સ્ટાઈનનું ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ ${E_k} = h\nu - \phi$ છે. આ સમીકરણમાં ${E_k}$ શું દર્શાવે છે?