આઈન્સ્ટાઈનનું ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ ${E_k} = h\nu - \phi$ છે. આ સમીકરણમાં ${E_k}$ શું દર્શાવે છે?

જ્યારે ધાતુ પર પડતા વિકિરણની તરંગલંબાઈ $500 \, nm$ થી બદલીને $200 \, nm$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ત્રણ ગણી થઈ જાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે $..... \, eV$ છે.

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશનો સ્ત્રોત એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે અને $2 \ \text{eV}$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો તે જ સપાટી પર $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશનો સ્ત્રોત આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($\text{eV}$ માં)? (ધાતુનું કાર્ય વિધેય $1 \ \text{eV}$ છે.)

એક ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) $5.01 \, eV$ છે. જ્યારે તેના પર $2000 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત થાય છે ત્યારે ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. સૌથી ઝડપી ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે લાગુ પાડવો પડતો પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $volt$ છે $[h = 4.14 \times 10^{-15} \, eV \cdot s]$

ધાતુની સપાટી પરથી $\nu_1$ અને $\nu_2$ આવૃત્તિ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1 : k$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

જ્યારે $3000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની ઊર્જા $0.5 \ eV$ હોય છે. જો $2000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો ફોટોન તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની ઊર્જા કેટલી હશે?