જ્યારે ધાતુ પર પડતા વિકિરણની તરંગલંબાઈ $500 \, nm$ થી બદલીને $200 \, nm$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ત્રણ ગણી થઈ જાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે $..... \, eV$ છે.

ધારો કે $v_1$ અને $v_2$ એ ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ છે જ્યારે ધાતુની સપાટીને અનુક્રમે $E_1 = 4 \text{ eV}$ અને $E_2 = 2.5 \text{ eV}$ ઊર્જા ધરાવતા પ્રકાશના તરંગો વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2 \text{ eV}$ હોય,તો ગુણોત્તર $\frac{v_1}{v_2}$ કેટલો થાય?

ધાતુની સપાટી પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5200 \ \mathring A$ છે. નીચેનામાંથી કયો સ્ત્રોત આ સપાટી પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન પ્રેરી શકશે?

$ 110 \times 10^{-20} \ J $ જેટલું વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર પ્રકાશ આપાત થાય છે. જો ઉત્પન્ન થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા શૂન્ય હોય, તો આપાત પ્રકાશની કોણીય આવૃત્તિ . . . . . . $ rad/s $ છે. $( h = 6.63 \times 10^{-34} \ J \cdot s )$

આકૃતિ ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં કેથોડ તરીકે વપરાતી ધાતુ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(K)$ (in $eV$) અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ વચ્ચેનો આલેખ દર્શાવે છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય ............. $eV$ છે.

$310 \ nm$,$455 \ nm$ અને $620 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ બે માધ્યમોને અલગ કરતી સપાટી પર $45^o$ ના ખૂણે આપાત થાય છે. $455 \ nm$ ના પ્રકાશ માટે વક્રીભવનાંક $\sqrt{2}$ છે. જો $1.2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટને આ માધ્યમમાં મૂકવામાં આવે,તો ધાતુની પ્લેટમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $eV$ માં કેટલી હશે?