$6\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,જેનું વર્ક ફંક્શન $4\, eV$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની લઘુત્તમ ગતિ ઉર્જા કેટલી હશે?

પ્રકાશના એક કિરણપુંજમાં $4972\,\mathring{A}$ અને $6216\,\mathring{A}$ એમ બે તરંગલંબાઈઓ છે,જેની કુલ તીવ્રતા $3.6 \times 10^{-3}\,\text{W/m}^2$ છે અને તે બંને તરંગલંબાઈઓ વચ્ચે સમાન રીતે વહેંચાયેલી છે. આ કિરણપુંજ $2.3\,\text{eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી શુદ્ધ ધાતુની સપાટીના $1\,\text{cm}^2$ ક્ષેત્રફળ પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. ધારો કે પરાવર્તન દ્વારા પ્રકાશનો કોઈ વ્યય થતો નથી અને દરેક સક્ષમ ફોટોન એક ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. $2\,\text{s}$ માં મુક્ત થતા ફોટોઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા આશરે કેટલી હશે?

$4v_0$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $v_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોસેલના એમિટર પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $V$ છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{2\lambda}{3}$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ દોરવામાં આવે છે. ($h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $\phi_0$ એ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન છે)
$(A)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ રેખીય છે.
$(B)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ આલેખનો ઢાળ $= \frac{\phi_0}{h}$ છે.
$(C)$ પ્લાન્કનો અચળાંક $h$ એ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ રેખાના ઢાળ સાથે સંબંધિત છે.
$(D)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ આલેખનો ઉપયોગ કરીને $h$ નક્કી કરવા માટે ઈલેક્ટ્રોનના વિદ્યુતભારના મૂલ્યની જરૂર નથી.
$(E)$ $h$ નું મૂલ્ય જાણ્યા વિના વર્ક ફંક્શનનો અંદાજ લગાવી શકાય છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?