$500\,K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16}\,m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22}\,m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું છે?

  • A
    $n-$પ્રકારનું,ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 2.5 \times 10^{23}\,m^{-3}$ સાથે
  • B
    $p-$પ્રકારનું,ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 5 \times 10^9\,m^{-3}$ સાથે
  • C
    $n-$પ્રકારનું,ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 5 \times 10^{22}\,m^{-3}$ સાથે
  • D
    $p-$પ્રકારનું,ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $n_e = 2.5 \times 10^{10}\,m^{-3}$ સાથે

Explore More

Similar Questions

ડોનર પ્રકારની અશુદ્ધિ શેમાં જોવા મળે છે?

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં ચાર્જ કેરિયર્સ (વીજભાર વાહકો) કયા છે?

જ્યારે $n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને ગરમ કરવામાં આવે છે, ત્યારે

$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સમાન સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16}\, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22}\, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું છે?

Difficult
View Solution

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે અને તે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જો ઈન્ડિયમના ડોપિંગ પછી હોલની સાંદ્રતા $(n_h)$ વધીને $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય,તો ડોપ્ડ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo