$500\, K$ पर शुद्ध $Si$ में इलेक्ट्रॉन $(n_e)$ और होल $(n_h)$ की सांद्रता समान $1.5 \times 10^{16} \,m^{-3}$ है। इंडियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_h$ बढ़कर $4.5 \times 10^{22} \,m^{-3}$ हो जाता है। तो यह डोप्ड अर्धचालक किस प्रकार का है?

• A
  $n$-प्रकार का,जिसमें इलेक्ट्रॉन सांद्रता $n_e = 2.5 \times 10^{23} \,m^{-3}$ है
• B
  $p$-प्रकार का,जिसमें इलेक्ट्रॉन सांद्रता $n_e = 5 \times 10^9 \,m^{-3}$ है
• C
  $n$-प्रकार का,जिसमें इलेक्ट्रॉन सांद्रता $n_e = 5 \times 10^{22} \,m^{-3}$ है
• D
  $p$-प्रकार का,जिसमें इलेक्ट्रॉन सांद्रता $n_e = 2.5 \times 10^{10} \,m^{-3}$ है