સિલિકોન એક અર્ધવાહક છે. જો તેમાં $As$ ની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે,તો તેની વિદ્યુત વાહકતા . . . . . . .

ધારો કે એક શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં $5 \times 10^{28}$ પરમાણુઓ $m^{-3}$ છે. તેને $1$ ppm સાંદ્રતા ધરાવતા પેન્ટાવેલેન્ટ $As$ વડે ડોપ કરવામાં આવે છે. હોલ્સની સંખ્યાની ગણતરી કરો. આપેલ છે કે $n_i = 1.5 \times 10^{16} m^{-3}$.

$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન એટલે કે $1.5 \times 10^{16} \, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22} \, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું હશે?

સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ (hole) ની વિભાવના સમજાવો.

$P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \, meV$ પર એક્સેપ્ટર લેવલ છે. હોલ બનાવવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J-s$)

$N-$ પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર પરનો કુલ વિદ્યુતભાર કેટલો હોય છે?