एक जंक्शन डायोड के लिए $I-V$ अभिलक्षण दिखाए गए हैं। यह उपकरण है

  • A
    $LED$.
  • B
    सौर सेल (solar cell).
  • C
    फोटोसेल (photocell).
  • D
    जेनर डायोड (zener diode).

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कथन: रिवर्स बायस वाले $p-n$ जंक्शन का उपयोग प्रकाश की तीव्रता को मापने के लिए फोटो-डायोड के रूप में किया जा सकता है।
कारण: रिवर्स बायस स्थिति में धारा कम होती है लेकिन यह आपतित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के प्रति अधिक संवेदनशील होती है।

फोटोडायोड एक ऐसा उपकरण है जो:

चित्र में $2$ $LED$ दिखाए गए हैं जिनका उपयोग पोलरिटी डिटेक्टर के रूप में किया जा सकता है। धनात्मक स्रोत वोल्टेज लगाने पर हरा प्रकाश मिलता है,जबकि ऋणात्मक आपूर्ति से लाल प्रकाश मिलता है। ऐसे संयोजनों के पैकेज व्यावसायिक रूप से उपलब्ध हैं। इस विन्यास के लिए $ON$ डायोड से $20 \ mA$ की धारा सुनिश्चित करने के लिए प्रतिरोध $R$ ज्ञात कीजिए। दोनों डायोड का रिवर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज $3 \ V$ और औसत टर्न-ऑन वोल्टेज $2 \ V$ है। स्रोत वोल्टेज $8 \ V$ है। $\Omega$ में $R$ का मान ज्ञात कीजिए।

Difficult
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किस प्रकार के अर्धचालक उपकरण को किसी बायस वोल्टेज की आवश्यकता नहीं होती है?

एक $LED$ में,जब फॉरवर्ड बायस को बढ़ाया जाता है (शून्य से शुरू करके),तो उत्सर्जित प्रकाश की तीव्रता:

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