હવા માધ્યમ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $6\, \mu F$ છે. ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમ દાખલ કરવાથી,કેપેસિટન્સ $30\, \mu F$ થાય છે. તો માધ્યમની પરમિટિવિટી .......... $C^{2} N^{-1} m^{-2}$ છે.
$(\varepsilon_{0} = 8.85 \times 10^{-12} C^{2} N^{-1} m^{-2})$

બે સમાન કેપેસિટર $A$ અને $B$ ને $E$ જેટલા $E$.$M$.$F$. ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવ્યા છે. કેપેસિટર $B$ માં $K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબ છે. $Q_A$ અને $Q_B$ એ $A$ અને $B$ માં સંગ્રહિત વિદ્યુતભારો છે. જ્યારે ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દૂર કરવામાં આવે છે,ત્યારે અનુરૂપ વિદ્યુતભારો $Q_A^{\prime}$ અને $Q_B^{\prime}$ થાય છે. તો:

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $100\,V$ ના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને તેને $emf$ ના સ્ત્રોતથી અલગ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ પ્લેટોની વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કઈ ત્રણ રાશિઓ બદલાશે?
$(i)$ વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત
$(ii)$ કેપેસિટન્સ
$(iii)$ પ્લેટો પરનો વિદ્યુતભાર

કોઈ ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ વગર અને $0.4 \, cm$ ના અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $2 \, \mu F$ છે. જો અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તેમાં $2.8$ મૂલ્યનો ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટરની અંતિમ કેપેસિટન્સ .......$\mu F$ થશે.

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બે કેપેસિટર $C_1$ અને $C_2$ ને બેટરી સાથે જોડવામાં આવ્યા છે. $C_1$ ની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા હવાથી ભરેલી છે અને $C_2$ ની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરેલી છે. કેપેસિટર પરના વિદ્યુતભારો $Q_1$ અને $Q_2$ વિશે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જ્યારે કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે તેની કેપેસિટન્સ,વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત અને સ્થિતિઊર્જામાં અનુક્રમે શું ફેરફાર થાય છે?