સિલિકોન $P-N$ જંકશનમાં ફોરવર્ડ અને રિવર્સ બાયસમાં ચાર્જ કેરિયર્સની ગતિ માટેનું મુખ્ય મિકેનિઝમ કયું છે?

નીચેનામાંથી કયું ફોરવર્ડ બાયસ ડાયોડ દર્શાવે છે?

અનબાયસ્ડ $PN$ જંકશનના ડેપ્લેશન ઝોન (depletion zone) અંગે નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન/વિધાનો સાચું/સાચા છે?
$(A)$ ઝોનની પહોળાઈ ડોપન્ટ્સ (અશુદ્ધિઓ) ની ઘનતાથી સ્વતંત્ર છે.
$(B)$ ઝોનની પહોળાઈ ડોપન્ટ્સની ઘનતા પર આધારિત છે.
$(C)$ ઝોનમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર આયનીકૃત ડોપન્ટ પરમાણુઓ દ્વારા ઉત્પન્ન થાય છે.
$(D)$ ઝોનમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર કન્ડક્શન બેન્ડમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોન અને વેલેન્સ બેન્ડમાં રહેલા હોલ્સ દ્વારા પૂરું પાડવામાં આવે છે.

આકૃતિમાં દર્શાવેલ ડાયોડ પૈકી કયો ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં છે?

જ્યારે $p-n$ જંકશન ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય ત્યારે,

રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં $P-N$ જંકશનના ડેપ્લેશન સ્તરમાં ....... હોય છે.