सिलिकॉन $P-N$ जंक्शन में फॉरवर्ड और रिवर्स बायस में आवेश वाहकों (charge carriers) की गति के लिए प्रमुख तंत्र (mechanism) क्या है?

निम्नलिखित वाक्यों में से कौन सा कथन गलत है? एक उपकरण जिसमें $P$ और $N$-प्रकार के अर्धचालकों का उपयोग किया जाता है,वह वैक्यूम ट्यूब की तुलना में अधिक उपयोगी है क्योंकि:

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में $2 \times 10^5 \ V/m$ परिमाण का विद्युत क्षेत्र मौजूद है। $-3e$ आवेश वाला एक कण $n$-साइड से $p$-साइड की ओर विसरित (diffuse) हो सकता है, यदि उसके पास न्यूनतम गतिज ऊर्जा $0.6 \ eV$ हो। $p-n$ जंक्शन के अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई है: ($nm$ में)

दिए गए चित्र में, जब एक आदर्श डायोड $D$ फॉरवर्ड बायस में होता है तो बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच का प्रतिरोध '$R_1$' है और जब आदर्श डायोड $D$ रिवर्स बायस में होता है तो यह '$R_2$' है। अनुपात $R_1/R_2$ है

चित्र में दिखाए गए अनुसार एक संधारित्र $(20 \mu\text{F})$, एक प्रतिरोधक $(100 \Omega)$ और दो समान डायोड से बने परिपथ पर विचार करें, जो प्रति-समानांतर (anti-parallel) जुड़े हैं। अग्र अभिनति (forward biasing) स्थिति में प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध $10 \Omega$ है। परिपथ का समय नियतांक (time constant) $\alpha \times 10^{-3} \text{ s}$ है। $\alpha$ का मान . . . . . . है।

कथन $I :$ जब $Si$ के नमूने में बोरॉन मिलाया जाता है,तो यह $P$-प्रकार का बन जाता है और जब आर्सेनिक मिलाया जाता है,तो यह $N$-प्रकार का अर्धचालक बन जाता है,जिससे $P$-प्रकार में होल्स की अधिकता और $N$-प्रकार में इलेक्ट्रॉनों की अधिकता होती है।
कथन $II$ : जब ऐसे $P$-प्रकार और $N$-प्रकार के अर्धचालकों को जोड़कर एक जंक्शन बनाया जाता है,तो स्वतः ही एक विद्युत धारा प्रवाहित होती है जिसे बाहरी रूप से जुड़े एमीटर से पता लगाया जा सकता है।
उपरोक्त कथनों के प्रकाश में,नीचे दिए गए विकल्पों में से सबसे उपयुक्त उत्तर चुनें।