વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોનું અસ્તિત્વ પ્રાયોગિક રીતે કોના દ્વારા સાબિત કરવામાં આવ્યું હતું?

દર્શાવો કે ચાર્જિંગ દરમિયાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેના બિંદુએ ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B = \frac{{\mu _0 \epsilon _0 r}}{2} \cdot \frac{{dE}}{{dt}}$ છે (જ્યાં સંજ્ઞાઓ તેમના સામાન્ય અર્થ ધરાવે છે).

જો કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે વિદ્યુત ફ્લક્સમાં થતો ફેરફારનો દર $9 \pi \times 10^3 \text{ Vm s}^{-1}$ હોય,તો કેપેસિટરની અંદર સ્થાનાંતર પ્રવાહ કેટલો હશે ($\mu \text{A}$ માં)?

કોણીય આવૃત્તિ $\omega$ ધરાવતું એક સમતલ વિદ્યુતચુંબકીય તરંગ $\sigma$ વાહકતા અને $\varepsilon$ સાપેક્ષ પરમિટિવિટી ધરાવતા મંદ વાહક માધ્યમમાં પ્રસરણ પામે છે. માધ્યમમાં વહન પ્રવાહ ઘનતા અને સ્થાનાંતર પ્રવાહ ઘનતાનો ગુણોત્તર શોધો.

$2 \, mm$ પ્લેટ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $400 \, V$ ના સોર્સ વોલ્ટેજ સાથે જોડવામાં આવે છે. જો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $60 \, cm^2$ હોય,તો $10^{-6} \, s$ ના સમયગાળા માટે સ્થાનાંતર પ્રવાહનું મૂલ્ય કેટલું હશે?

પ્રવેગિત ઈલેક્ટ્રોન ...... ઉત્પન્ન કરે છે.