પોટેશિયમ અને ટંગસ્ટન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ અને પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ વચ્ચેનો સાચો સંબંધ દર્શાવતી આકૃતિ કઈ છે?

$310 \ nm$,$455 \ nm$ અને $620 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ બે માધ્યમોને અલગ કરતી સપાટી પર $45^o$ ના ખૂણે આપાત થાય છે. $455 \ nm$ ના પ્રકાશ માટે વક્રીભવનાંક $\sqrt{2}$ છે. જો $1.2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટને આ માધ્યમમાં મૂકવામાં આવે,તો ધાતુની પ્લેટમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $eV$ માં કેટલી હશે?

જ્યારે $v_{1}$ આવૃત્તિનો એકવર્ણી પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{1}$ છે. જ્યારે બીજી આવૃત્તિનો એકવર્ણી પ્રકાશ તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{2}$ બને છે. જો $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક હોય અને $e$ ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર હોય, તો બીજા કિસ્સામાં પ્રકાશની આવૃત્તિ કેટલી હશે?

જ્યારે કોઈ ધાતુની સપાટી પર ચોક્કસ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનને $3 \ V$ ના રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા સંપૂર્ણપણે અટકાવવામાં આવે છે. આ ધાતુની સપાટી પર ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર $6 \times 10^{14} \ s^{-1}$ ની આવૃત્તિએ શરૂ થાય છે. આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $s^{-1}$ માં કેટલી હશે? [પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.4 \times 10^{-34} \ J \cdot s$,ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$]

$\nu$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $\nu_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતા પદાર્થ પર આપાત થાય છે (જ્યાં $\nu_0 < \nu$). ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

$4000 \, \mathring{A}$ ની આપાત વિકિરણ માટેના ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,ઉત્સર્જન અટકાવવા માટેનો પોટેન્શિયલ તફાવત $2 \, V$ છે. જો આપાત પ્રકાશને બદલીને $3000 \, \mathring{A}$ કરવામાં આવે,તો ઈલેક્ટ્રોનના ઉત્સર્જનને અટકાવવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ કેટલો હશે?