$K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમમાં મૂકવામાં આવેલા બે બિંદુવત વિદ્યુતભારો વચ્ચેનું બળ $F$ છે. જો માધ્યમને દૂર કરવામાં આવે,તો તેમની વચ્ચેનું બળ . . . . . . થશે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું વોલ્ટેજ રેટિંગ $500\,V$ છે. તેનું ડાયલેક્ટ્રિક $10^6\,V/m$ ની મહત્તમ વિદ્યુત ક્ષેત્રની તીવ્રતા સહન કરી શકે છે. પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $10^{-4}\,m^2$ છે. જો કેપેસિટન્સ $15\,pF$ હોય,તો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે? (આપેલ છે: $\epsilon_0 = 8.86 \times 10^{-12}\,C^2/Nm^2$)

જ્યારે ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર:

બે સમાન સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ e.m.f. ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. જો એક કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પ્રવાહીમાં મૂકવામાં આવે, તો બીજા કેપેસિટરનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થશે?

બે સમાન કેપેસિટર $A$ અને $B$ ને $E$ જેટલા $E$.$M$.$F$. ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવ્યા છે. કેપેસિટર $B$ માં $K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબ છે. $Q_A$ અને $Q_B$ એ $A$ અને $B$ માં સંગ્રહિત વિદ્યુતભારો છે. જ્યારે ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દૂર કરવામાં આવે છે,ત્યારે અનુરૂપ વિદ્યુતભારો $Q_A^{\prime}$ અને $Q_B^{\prime}$ થાય છે. તો:

પ્લેટોની વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ ધરાવતા $C_1$ કેપેસિટન્સવાળા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. તેની પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $V_1$ છે. જ્યારે કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડેલું રાખીને ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દૂર કરવામાં આવે છે,ત્યારે નવું કેપેસિટન્સ અને વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત અનુક્રમે $C_2$ અને $V_2$ થાય છે. તો: