p-n जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर (potential | vedclass

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Question

(D) जब एक $p-n$ जंक्शन बनता है,तो $n$-क्षेत्र से इलेक्ट्रॉन $p$-क्षेत्र में और $p$-क्षेत्र से होल $n$-क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं। यह विसरण

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जंक्शन के पास धनात्मक और ऋणात्मक आवेशों का संचय।

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(D) जब एक $p-n$ जंक्शन बनता है,तो $n$-क्षेत्र से इलेक्ट्रॉन $p$-क्षेत्र में और $p$-क्षेत्र से होल $n$-क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं। यह विसरण जंक्शन के पास $n$-पक्ष में स्थिर आयनित दाता परमाणुओं (धनात्मक आवेशों) और $p$-पक्ष में स्थिर आयनित ग्राही परमाणुओं (ऋणात्मक आवेशों) को छोड़ देता है। यह क्षेत्र,जिसमें कोई गतिशील आवेश वाहक नहीं होते,अवक्षय परत (depletion region) कहलाता है। इन स्थिर धनात्मक और ऋणात्मक आवेशों का संचय एक विद्युत क्षेत्र बनाता है जो आगे के विसरण का विरोध करता है,जिसके परिणामस्वरूप एक विभव प्राचीर (potential barrier) उत्पन्न होता है।

$p-n$ जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर (potential barrier) किसके कारण होता है?

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यदि एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस्ड (अग्र अभिनत) है, तो:

$p-n$ जंक्शन को कब और क्यों फॉरवर्ड बायस कहा जाता है? इस बायस के अंतर्गत होने वाले परिवर्तनों का वर्णन कीजिए।

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