ફોરવર્ડ બાયસમાં $P-N$ જંકશનમાં વિદ્યુતપ્રવાહ વહેવાનું કારણ શું છે?

નીચે આપેલ વિદ્યુત પરિપથમાં, મિલિએમીટરનું અવલોકન કેટલું હશે ($\text{ mA}$ માં)? (સિલિકોન ડાયોડનો ની-વોલ્ટેજ $= 0.7 \text{ V}$ લો)

$P-N$ જંક્શનમાં ડેપ્લેશન સ્તર (depletion layer) બનવાનું કારણ શું છે?

પરિપથમાં પ્રવાહ $i$ કેટલો હશે?

નીચેનામાંથી કયો આલેખ ડાયોડના ફોરવર્ડ બાયસ લાક્ષણિકતા દર્શાવે છે?

ડાયોડનો પ્રવાહ-વોલ્ટેજ સંબંધ $I = (e^{1000V/T} - 1) \; mA$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં લાગુ પાડવામાં આવેલ વોલ્ટેજ $V$ વોલ્ટમાં છે અને તાપમાન $T$ કેલ્વિનમાં છે. જો કોઈ વિદ્યાર્થી $300 \; K$ તાપમાને $5 \; mA$ પ્રવાહ માપતી વખતે વોલ્ટેજ માપવામાં $\pm 0.01 \; V$ ની ભૂલ કરે,તો પ્રવાહના મૂલ્યમાં $mA$ માં કેટલી ભૂલ થશે?