સોડિયમ પર ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5000 \ Å$ છે. તેનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?

$4000 \,\mathring A$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર પડે છે અને $2 \,V$ નો નેગેટિવ પોટેન્શિયલ ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને અટકાવે છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ($eV$ માં) આશરે કેટલું હશે? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \,Js, \,e = 1.6 \times 10^{-19} \,C, \,c = 3 \times 10^8 \,m/s)$

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના કિસ્સામાં,માપવામાં આવેલા સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ એક સીધી રેખા છે. આ રેખાના ઢાળને ઈલેક્ટ્રોનના વિદ્યુતભાર $(e)$ વડે ગુણતા શું મળે છે?

નિકલનું વર્ક ફંક્શન $5 \text{ eV}$ છે. જ્યારે $2000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ તેના પર પડે છે,ત્યારે તે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત કેટલો હશે ($\text{ V}$ માં)? (આપેલ છે: $h = 6.67 \times 10^{-34} \text{ J-s}$)

ચોક્કસ ધાતુમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરી શકે તેવી વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ છે. $100 \ nm$ તરંગલંબાઈના વિકિરણને કારણે ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા મેળવેલી મહત્તમ ગતિઊર્જા .............. $eV$ હશે.

આપાત ફોટોનની આવૃત્તિ અને વર્ક ફંક્શન $\nu$ અને $\phi_0$ છે. જો $\nu_0$ એ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ હોય,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનના ઉત્સર્જન માટેની જરૂરી શરત કઈ છે?