ઇલેક્ટ્રોનની તરંગ પ્રકૃતિનું પ્રાયોગિક રીતે સમર્થન કોના દ્વારા કરવામાં આવ્યું હતું?

ઇલેક્ટ્રોનનો તરંગ ગુણધર્મ સૂચવે છે કે તેઓ વિવર્તનની અસરો દર્શાવશે. ડેવિસન અને જર્મરે સ્ફટિકોમાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું વિવર્તન કરીને આ સાબિત કર્યું હતું. સ્ફટિકમાંથી થતા વિવર્તન માટેનો નિયમ એ શરત પરથી મેળવવામાં આવે છે કે સ્ફટિકમાં પરમાણુઓના સમતલો પરથી પરાવર્તિત થતા ઇલેક્ટ્રોન તરંગો સહાયક વ્યતિકરણ અનુભવે (આકૃતિ જુઓ).

ડેવિસન-ગર્મરના પ્રયોગમાં,$1.5 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ઈલેક્ટ્રોન પુંજ $3 \ \mathring{A}$ પરમાણ્વીય અંતર ધરાવતા સ્ફટિક પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. પ્રથમ મહત્તમ (first maximum) કેટલા અંશના ખૂણે રચાશે?

ડેવિસન-ગર્મર પ્રયોગમાં $75 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતો ઇલેક્ટ્રોન બીમ સ્ફટિકની સપાટી પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. જો મહત્તમ તીવ્રતા આપાત બીમની દિશા સાથે $45^o$ ના ખૂણે મળે,તો સ્ફટિકના લેટીસ સમતલમાં આંતર-પરમાણ્વીય અંતર .............. $\mathring{A}$ હશે.

ડેવિસન-ગર્મર પ્રયોગ એ શેનો સીધો પુરાવો છે?

$x-$ દિશામાં ગતિ કરતા ઇલેક્ટ્રોનનો સમાંતર બીમ $d$ પહોળાઈની સ્લિટ પર પડે છે. જો સ્લિટમાંથી પસાર થયા પછી,ઇલેક્ટ્રોન $y-$ દિશામાં $P_y$ વેગમાન મેળવે છે,તો સ્લિટમાંથી પસાર થતા મોટાભાગના ઇલેક્ટ્રોન માટે ($h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે):