એક ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) $5.01\ eV$ છે. જ્યારે તેના પર $2000\ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી લઘુત્તમ સ્થિતિમાનનો તફાવત ................. $V$ છે.

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશનો કિરણપુંજ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર પડે છે, જે ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ માં રાખેલ છે. સૌથી વધુ ઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન, જે ક્ષેત્રને લંબ રૂપે ગતિ કરે છે, તે $R$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર ચાપમાં વળે છે. જો આ પ્રયોગ $\lambda$ ના વિવિધ મૂલ્યો માટે કરવામાં આવે, તો $B^2$ વિરુદ્ધ $\frac{1}{\lambda}$ નો આલેખ કેવો દેખાશે (અન્ય તમામ રાશિઓ અચળ રાખતા)?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર મુજબ,ધાતુમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિનો આલેખ એક સીધી રેખા આપે છે,જેનો ઢાળ

એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ માટે,વર્ક ફંક્શન $W_0$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ કેટલી હશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ,$e=$ ઇલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ)

એક ચોક્કસ તરંગલંબાઇના $X$-કિરણોનો ઉપયોગ કરીને બે અલગ-અલગ પ્રયોગોમાં સોડિયમ અને કોપરની સપાટી પર આપાત કરવામાં આવે છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ નક્કી કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $1.6 \times 10^{-19} \, J$ છે. જ્યારે ધાતુની સપાટી પર $6400 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.4 \times 10^{-34} \, Js$)