એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.0 \ eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોન ઉત્સર્જન કરાવી શકે તેવી પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે $...... \ nm$ છે.

એક ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક વર્ક ફંક્શન $4.125 \ eV$ છે. આ સપાટી માટે કટ-ઓફ તરંગલંબાઈ .......... $\mathring{A}$ છે.

જ્યારે $\lambda_1$ અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ બે સમાન ધાતુની પ્લેટો પર આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે $(\lambda_1 = 1.5\lambda_2)$. જો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અનુક્રમે $E_1$ અને $E_2$ હોય, તો:

શરૂઆતમાં $\lambda_1$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન ફોટોકેથોડ પર આપાત થાય છે અને $E_1$ મહત્તમ ઉર્જા ધરાવતો ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરે છે. જો આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ બદલીને $\lambda_2$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઉર્જા $E_2$ થાય છે. તો $hc$ ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ) નું મૂલ્ય શું હશે?

$hv$ ઉર્જા ધરાવતો એક ફોટોન એવી ધાતુના મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા શોષાય છે જેનું વર્ક ફંક્શન $\phi < hv$ છે.

હાઇડ્રોજન પરમાણુમાં એક ઇલેક્ટ્રોન બીજા બોહર કક્ષામાંથી ધરા સ્થિતિમાં સંક્રમણ કરે છે અને બંને સ્થિતિઓ વચ્ચેનો ઉર્જાનો તફાવત ફોટોન સ્વરૂપે ઉત્સર્જિત થાય છે. આ ફોટોનને $4.2 \ eV$ વર્ક-ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત કરવામાં આવે છે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ શોધો. [$n^{\text{મી}}$ કક્ષામાં ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા $= -\frac{13.6}{n^2} \ eV$] ($V$ માં)