બે સમાન સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ emf ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. જો એક કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થથી સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે,તો બીજા કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થશે?

હવામાં $9 \ cm$ ના અંતરે રાખેલા બે બિંદુવત વિદ્યુતભારો વચ્ચેનું બળ $98 \ N$ છે. જો બે વિદ્યુતભારોની વચ્ચે $4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $6 \ cm$ જાડાઈ ધરાવતી એક ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ અને $9$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $3 \ cm$ જાડાઈ ધરાવતી બીજી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવે,તો નવું બળ કેટલું થશે ($N$ માં)?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની અડધી જગ્યામાં પ્લેટોને સમાંતર $K$ ડાય-ઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું માધ્યમ ભરવામાં આવે છે. જો પ્રારંભિક કેપેસિટન્સ $C$ હોય,તો નવું (અંતિમ) કેપેસિટન્સ કેટલું હશે?

જો $4 \times 10^{-3} \ m$ જાડાઈ ધરાવતી અવાહક પદાર્થની પ્લેટને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સને મૂળ મૂલ્ય પર લાવવા માટે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3.5 \times 10^{-3} \ m$ જેટલું વધારવું પડે છે. તો આ પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

$20 \ \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2 \ mm$ છે. જો $1 \ mm$ જાડાઈ અને $2$ ડાય-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાય-ઈલેક્ટ્રિક ચોસલું પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ ..... $\mu F$ થશે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને પહેલા ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી પ્લેટોની વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. કઈ રાશિ બદલાતી નથી?