$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે $Si$ માં કઈ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $8 \times 10^{14} \text{ cm}^{-3}$ છે અને હોલ્સની સાંદ્રતા $5 \times 10^{12} \text{ cm}^{-3}$ છે. આ સેમિકન્ડક્ટર કયા પ્રકારનું છે?

એક સિલિકોનનો નમૂનો $p$-પ્રકારના અર્ધવાહક તરીકે ડોપિંગ કરીને બનાવવામાં આવે છે. જેમાં ઇન્ડિયમનો એક પરમાણુ સિલિકોનના $5 \times 10^7$ પરમાણુ દીઠ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સિલિકોનની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ હોય,તો પ્રતિ $\text{cm}^3$ દીઠ એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા ગણો.

$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$n$-type સેમિકન્ડક્ટર મેળવવા માટે $Ge$ માં નીચેનામાંથી કયા ડોપન્ટનો ઉપયોગ થતો નથી?

સિલિકોન એક અર્ધવાહક છે. જો તેમાં $As$ ની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે,તો તેની વિદ્યુત વાહકતા . . . . . . .