$n$-type સેમિકન્ડક્ટર મેળવવા માટે $Ge$ માં નીચેનામાંથી કયા ડોપન્ટનો ઉપયોગ થતો નથી?

જો $n_e$ અને $n_h$ એ બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા હોય અને $n_i$ એ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં વાહકની સાંદ્રતા હોય, તો:

જ્યારે જર્મેનિયમમાં ફોસ્ફરસ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે ડોપ્ડ મટીરીયલમાં શું હોય છે?

$500\, K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઇલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સમાન સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16}\, m^{-3}$ છે. ઇન્ડિયમ દ્વારા ડોપિંગ કરવાથી $n_h$ વધીને $4.5 \times 10^{22}\, m^{-3}$ થાય છે. તો આ ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટર કેવા પ્રકારનું છે?

ડોનર અશુદ્ધિના પરિણામે શું મળે છે?

$N-$ પ્રકાર અને $P-$ પ્રકારના સિલિકોન શુદ્ધ સિલિકોનમાં શેનું ડોપિંગ કરીને મેળવી શકાય છે?