निम्नलिखित में से कौन सा इलेक्ट्रॉनिक विन्यास सबसे कम आयनन ऊर्जा वाले तत्व को दर्शाता है?

नीचे दो कथन दिए गए हैं: एक को अभिकथन $A$ और दूसरे को कारण $R$ के रूप में लेबल किया गया है।
अभिकथन $A$: $O$ की प्रथम आयनन एन्थैल्पी $N$ और $F$ से कम होती है।
कारण $R$: $O$ से एक इलेक्ट्रॉन के निकलने से स्थिर अर्ध-पूरित $p$ कक्षक प्राप्त होता है।
उपर्युक्त कथनों के आलोक में, नीचे दिए गए विकल्पों में से सबसे उपयुक्त उत्तर चुनिए:

निम्नलिखित में से किसकी प्रथम आयनन ऊर्जा सबसे अधिक है?

मान लीजिए कि $He$, $Ne$, $Ar$ और $Kr$ के गैसीय मिश्रण को $Ar$ को आयनित करने के लिए उपयुक्त आवृत्ति वाले फोटॉन के साथ उपचारित किया जाता है। मिश्रण में कौन सा/से आयन उपस्थित होगा/होंगे?

आयनन ऊर्जा $(I.E.)$ का गलत क्रम कौन सा है?

निम्नलिखित में से कौन सा कथन गलत है?