આકૃતિમાં બે સમાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરોને બેટરી અને બંધ સ્વિચ $S$ સાથે જોડેલા દર્શાવ્યા છે. હવે સ્વિચને $open$ કરવામાં આવે છે અને બંને કેપેસિટરોની પ્લેટ વચ્ચેના મુક્ત અવકાશમાં $K = 3$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે છે. ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક દાખલ કર્યા પહેલાં અને પછી બંને કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત કુલ સ્થિત-વિદ્યુત ઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોની વચ્ચે એક પાતળી ધાતુની પ્લેટ $P$ ને એવી રીતે દાખલ કરવામાં આવે છે કે તે બંને પ્લેટોને સમાંતર રહે. હવે કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

જો સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની અડધી જગ્યા $4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ $C_1$ છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની એક તૃતીયાંશ જગ્યા $4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ $C_2$ છે. જો બંને કિસ્સાઓમાં,ડાયલેક્ટ્રિકને કેપેસિટરની પ્લેટોને સમાંતર મૂકવામાં આવે,તો $C_1: C_2=$

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.885$ mm છે. જ્યારે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $1 \times 10^{13}$ $\Omega$m અવરોધકતા અને $17.7 \times 10^{14}$ $\Omega$ અવરોધ ધરાવતા અવાહક પદાર્થથી ભરવામાં આવે છે, ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ $1$ $\mu$$F$ થાય છે. અવાહક પદાર્થની સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $\alpha \times 10^7$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે. (મુક્ત અવકાશની પરમિટિવિટી $\epsilon_0 = 8.85 \times 10^{-12}$ $F$/m લો)

એક સમાંતર પ્લેટ ચાર્જ્ડ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કઈ રાશિ બદલાશે નહીં?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ $C$ છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે છે અને પ્લેટોની વચ્ચે ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમ દાખલ કરવામાં આવે છે. જો હવે કેપેસીટન્સ $2C$ થઈ જાય,તો માધ્યમનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?