એક માધ્યમ જેનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K > 1$ છે,તે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા ભરે છે. પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ મોટું છે અને તેમની વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટેજની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે,જે આકૃતિ $(a)$ માં દર્શાવેલ છે. હવે,પ્લેટોને એવી રીતે ખસેડવામાં આવે છે કે તેમની વચ્ચેનું અંતર $2d$ થાય,અને $d$ જાડાઈનો ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ તેમની વચ્ચે રહે છે,જે આકૃતિ $(b)$ માં દર્શાવેલ છે. આકૃતિ $(a)$ માં દર્શાવેલ ગોઠવણીમાંથી આકૃતિ $(b)$ માં દર્શાવેલ ગોઠવણીમાં જવાની પ્રક્રિયામાં,નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન સાચું/સાચા છે?

• A
  ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થની અંદરનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $2K$ ના અવયવથી ઘટે છે.
• B
  કેપેસીટન્સ $\frac{1}{K+1}$ ના અવયવથી ઘટે છે.
• C
  કેપેસિટર પ્લેટો વચ્ચેનો વોલ્ટેજ $(K+1)$ ના અવયવથી વધે છે.
• D
  આ પ્રક્રિયામાં થયેલું કાર્ય ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થની હાજરી પર આધાર રાખતું નથી.