$GaAsP$ નો ઉપયોગ કરીને $p-n$ જંકશન ડાયોડમાંથી $LED$ બનાવવામાં આવે છે. એનર્જી ગેપ $1.9\; eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

  • A
    $10.4 \times 10^{-26}\; m$
  • B
    $654 \;nm$
  • C
    $654 \;\mathring A$
  • D
    $654 \times 10^{-11} \;m$

Explore More

Similar Questions

લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ માં,પ્રકાશનું ઉત્સર્જન શેના કારણે થાય છે?

$LED$ દ્રશ્યમાન પ્રકાશના વિસ્તારમાં પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરી શકે તે માટે,તેનો એનર્જી બેન્ડ ગેપ કઈ રેન્જમાં હોવો જોઈએ?

ફોટોડાયોડનો ઉપયોગ ઓપ્ટિકલ સિગ્નલો શોધવા માટે થાય છે. આ ડાયોડને પ્રાધાન્ય રૂપે રિવર્સ બાયસ મોડમાં ચલાવવામાં આવે છે કારણ કે:

એક ફોટોડિટેક્ટર $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ સેમિકન્ડક્ટરથી બનેલું છે જેનો $E_g = 0.73 \, eV$ છે. તે મહત્તમ કેટલી તરંગલંબાઇ શોધી શકે છે ($nm$ માં)?

ફોટોડાયોડ માટે અલગ-અલગ પ્રકાશની તીવ્રતા $I_1, I_2, I_3$ અને $I_4$ માટે $I-V$ લાક્ષણિકતાઓ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. તો નીચેનામાંથી કઈ મહત્તમ તીવ્રતા દર્શાવે છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo