$n$-प्रकार और $p$-प्रकार के अर्धचालक को शुद्ध सिलिकॉन में क्रमशः किनके अपमिश्रण (doping) द्वारा प्राप्त किया जा सकता है?

  • A
    क्रमशः आर्सेनिक और फास्फोरस
  • B
    क्रमशः इंडियम और एल्युमीनियम
  • C
    क्रमशः फास्फोरस और इंडियम
  • D
    क्रमशः एल्युमीनियम और बोरॉन

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निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य नहीं है?

$n$-प्रकार के अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन सांद्रता,$p$-प्रकार के अर्धचालक में होल सांद्रता के समान है। प्रत्येक पर एक बाहरी विद्युत क्षेत्र लागू किया जाता है। उनमें प्रवाहित धाराओं की तुलना करें।

मान लीजिए कि एक शुद्ध $Si$ क्रिस्टल में $5 \times 10^{28}$ परमाणु $m^{-3}$ हैं। इसे $1$ ppm सांद्रता वाले पेंटावैलेंट $As$ द्वारा डोप किया जाता है। होल्स की संख्या की गणना करें। दिया गया है कि $n_i = 1.5 \times 10^{16} m^{-3}$।

$300 \ K$ तापमान पर शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल की चालकता क्या होगी? प्रति $cm^3$ इलेक्ट्रॉन-होल जोड़ों की संख्या $1.072 \times 10^{10}$ है। दिया गया है: $\mu_n = 1350 \ cm^2/V \cdot s$ और $\mu_p = 480 \ cm^2/V \cdot s$.

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$N$-प्रकार के अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

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