એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3\,mm$ છે અને તેમની વચ્ચે હવા છે. હવે,$K = 2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થનું $1\,mm$ જાડું પડ પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે,જેના કારણે કેપેસિટન્સ વધે છે. કેપેસિટન્સને તેના મૂળ મૂલ્ય પર લાવવા માટે,પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર કેટલું કરવું જોઈએ......$mm$ ($.5$ માં)?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની અડધી જગ્યામાં પ્લેટોને સમાંતર $K$ ડાય-ઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું માધ્યમ ભરવામાં આવે છે. જો પ્રારંભિક કેપેસિટન્સ $C$ હોય,તો નવું (અંતિમ) કેપેસિટન્સ કેટલું હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને સમાન જાડાઈના $3$ ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થોથી ભરવામાં આવે છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંકો એવા છે કે $k_3 > k_2 > k_1$. ધારો કે દરેક ડાયલેક્ટ્રિકમાં વિદ્યુત ક્ષેત્ર અને પોટેન્શિયલ ડ્રોપના મૂલ્યો અનુક્રમે $E_3, E_2, E_1$ અને $\Delta V_3, \Delta V_2, \Delta V_1$ છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$20\,\mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટરમાં પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2\,mm$ છે. જો $1\,mm$ પહોળાઈ અને $2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવે,તો નવું કેપેસીટન્સ......$\mu F$ થશે.

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $4 \ pF$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યામાં $K = 6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સનું મૂલ્ય . . . . . . થશે. ($pF$ માં)

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C_p$ છે. તેને $K_1$ અને $K_2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થોના સમાંતર સ્તરોથી સમાન રીતે ભરવામાં આવે છે. હવે તેની ક્ષમતા $C_K$ થાય છે. $C_P$ અને $C_K$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?