$p-n$ જંકશનનો બેરિયર પોટેન્શિયલ નીચેનામાંથી કોના પર આધાર રાખે છે:
$(1)$ સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલનો પ્રકાર
$(2)$ ડોપિંગનું પ્રમાણ
$(3)$ તાપમાન
નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

જો $Si$ અને $Ge$ ડાયોડ માટે બેરિયર પોટેન્શિયલ અનુક્રમે $0.7 \ V$ અને $0.3 \ V$ હોય,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે,તો $V_0$ અને $I$ ના મૂલ્યો શોધો. જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ અને $I$ ના નવા મૂલ્યો અનુક્રમે શોધો.

આકૃતિમાં દર્શાવેલ ફોરવર્ડ બાયસ્ડ ડાયોડના લાક્ષણિકતાઓ માટે,$I_{D} = 3 \, \text{mA}$ પર ડાયનેમિક અવરોધ $..... \, \Omega$ થશે.

આપેલ પરિપથમાં, ત્રણેય ડાયોડ $D_1, D_2, D_3$ નો ફોરવર્ડ અવરોધ પ્રત્યેક $50 \text{ } \Omega$ છે અને રિવર્સ અવરોધ અનંત છે. જો બેટરીનો વોલ્ટેજ $5 \text{ V}$ હોય, તો $100 \text{ } \Omega$ ના અવરોધમાંથી વહેતો વિદ્યુતપ્રવાહ શોધો. ($\text{mA}$ માં)

ઇલેક્ટ્રિકલ ઘટકોમાંથી ડાયોડને ઓળખવા માટે મલ્ટિમીટરનો ઉપયોગ કરતી વખતે,ડાયોડ વિશે નીચેનામાંથી સાચું વિધાન પસંદ કરો:

નીચેનું કોષ્ટક આપેલ ડાયોડ માટે $V$ અને $I$ ના મૂલ્યોનો સમૂહ આપે છે. ધારો કે લાક્ષણિકતાઓ લગભગ રેખીય છે. આ શ્રેણીમાં,આપેલ ડાયોડનો ફોરવર્ડ અને રિવર્સ બાયસ અવરોધ અનુક્રમે કેટલો હશે?

સ્થિતિ	$V$	$I$
ફોરવર્ડ બાયસિંગ	$2.0 \, V$	$60 \, mA$
ફોરવર્ડ બાયસિંગ	$2.4 \, V$	$80 \, mA$
રિવર્સ બાયસિંગ	$0 \, V$	$0 \, \mu A$
રિવર્સ બાયસિંગ	$-2 \, V$	$-0.25 \, \mu A$