p-n जंक्शन का बैरियर विभव (barrier potential) | vedclass

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Question

(D) $p-n$ जंक्शन का बैरियर विभव $(V_b)$ निम्नलिखित कारकों द्वारा निर्धारित होता है:$1$. अर्धचालक पदार्थ का प्रकार: विभिन्न पदार्थों के लिए बैंड गैप ऊर

Vedclass · Accepted Answer

$1, 2$ और $3$

Vedclass · Answer

(D) $p-n$ जंक्शन का बैरियर विभव $(V_b)$ निम्नलिखित कारकों द्वारा निर्धारित होता है:$1$. अर्धचालक पदार्थ का प्रकार: विभिन्न पदार्थों के लिए बैंड गैप ऊर्जा अलग-अलग होती है। $Si$ के लिए $V_b \approx 0.7 \ V$ और $Ge$ के लिए $V_b \approx 0.3 \ V$ होता है।$2$. डोपिंग की मात्रा: अशुद्धि परमाणुओं की सांद्रता अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई और उसके आर-पार विभवांतर को प्रभावित करती है।$3$. तापमान: तापमान बढ़ने के साथ बैरियर विभव कम हो जाता है क्योंकि आंतरिक वाहक सांद्रता (intrinsic carrier concentration) बढ़ जाती है,जो फर्मी स्तर और अंतर्निहित विभव को प्रभावित करती है।अतः,तीनों कारक $(1, 2, 3)$ बैरियर विभव को प्रभावित करते हैं।

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यदि दिए गए परिपथ में डायोड के सिरों के बीच का वोल्टेज $0.5 \ V$ है,तो परिपथ में प्रवाहित होने वाली धारा ...... $mA$ है।

यदि $p-n$ जंक्शन डायोड रिवर्स बायस में है,तो:

अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई लगभग ....... होती है।

निम्नलिखित सिलिकॉन-आधारित ट्रांजिस्टर सर्किट में $V_{CE}$ ज्ञात कीजिए। ($V$ में)

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