ધાતુની સપાટી (જેનું કાર્ય વિધેય $1.65 \ eV$ છે) માંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની લઘુત્તમ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

પ્રકાશના કયા સિદ્ધાંત દ્વારા ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક અસર સમજાવી શકાય છે?

$5000 \; \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $1.9 \; eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ પ્લેટ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ............ $eV$ હશે.

ધાતુની સપાટી દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $9 \times 10^5 \ m/s$ છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે વિદ્યુતભાર $(e)$ અને દળ $(m)$ ના ગુણોત્તરનું મૂલ્ય $1.8 \times 10^{11} \ C/kg$ છે. વોલ્ટમાં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલનું મૂલ્ય કેટલું હશે?

ધાતુની સપાટી પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5200 \ \mathring A$ છે. નીચેનામાંથી કયો સ્ત્રોત આ સપાટી પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન પ્રેરી શકશે?

જ્યારે એક પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી પર $\lambda_1$ અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા અનુક્રમે $E_1$ અને $E_2$ છે. પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) કેટલું હશે?