प्रकाश की वह न्यूनतम आवृत्ति जो धातु की सतह (जिसका कार्य फलन $1.65 \ eV$ है) से फोटोइलेक्ट्रॉन के उत्सर्जन का कारण बनेगी,होगी

प्रकाश-विद्युत प्रभाव के संदर्भ में निरोधी विभव (stopping potential) आपतित विद्युत-चुंबकीय विकिरण के निम्नलिखित गुण पर निर्भर करता है:

$4000 \ \mathring A$ तरंगदैर्ध्य का प्रकाश एक प्रकाश-संवेदी सतह पर आपतित होता है। यदि उत्सर्जित इलेक्ट्रॉनों को रोकने के लिए $-2 \ V$ के विभव की आवश्यकता होती है,तो पदार्थ का कार्य फलन (work function) क्या होगा ($eV$ में)? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ J \cdot s, e = 1.6 \times 10^{-19} \ C, c = 3 \times 10^8 \ m/s)$

जब प्रकाश स्रोत को फोटोसेल से $20 \ cm$ दूर रखा जाता है,तो $0.6 \ V$ का निरोधी विभव (stopping potential) प्राप्त होता है। जब स्रोत को $40 \ cm$ दूर रखा जाता है,तो निरोधी विभव .......... $V$ होगा।

स्टॉपिंग पोटेंशियल $(V_0)$ के बारे में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य नहीं है?

जब प्रकाश का एक बिंदु स्रोत एक फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $50 \, cm$ की दूरी पर होता है,तो कट-ऑफ वोल्टेज $V_0$ पाया जाता है। यदि उसी स्रोत को सेल से $1 \, m$ की दूरी पर रखा जाए,तो कट-ऑफ वोल्टेज होगा