આપેલ પરિપથમાં બિંદુઓ $P$ અને $Q$ વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે :-

ત્રણ સમાન કેપેસિટર $P$, $Q$ અને $S$, જે દરેકની કેપેસીટન્સ $C$ છે, આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $V$ વોલ્ટેજની બેટરી સાથે જોડાયેલા છે. જો કેપેસિટર $P$ માં સંગ્રહિત ઉર્જા અને સિસ્ટમમાં સંગ્રહિત કુલ ઉર્જા અનુક્રમે $U_P$ અને $U_T$ હોય, તો ગુણોત્તર $\frac{U_P}{U_T}$ શું છે?

$R_{1}$ અને $R_{2}$ ત્રિજ્યા ધરાવતા બે વિદ્યુતભારીત ધાતુના ગોળાઓ $S_{1}$ અને $S_{2}$ ધ્યાનમાં લો. તેમની સપાટી પરના વિદ્યુતક્ષેત્રો $E_{1}$ ( $S_{1}$ પર) અને $E_{2}$ ( $S_{2}$ પર) એવા છે કે જેથી $E_{1} / E_{2} = R_{1} / R_{2}$ થાય. તો દરેક ગોળા પરના સ્થિત વિદ્યુત પોટેન્શિયલનો ગુણોત્તર $V_{1} / V_{2}$ કેટલો થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચાર્જ કર્યા પછી બેટરી સાથે જોડેલું રાખવામાં આવે છે અને ઇન્સ્યુલેટીંગ હેન્ડલ્સની મદદથી પ્લેટોને એકબીજાથી દૂર ખેંચવામાં આવે છે. હવે નીચેનામાંથી કઈ રાશિ ઘટશે?

$100 \mu F$ ની કેપેસિટી ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $50 \text{ V}$ ની બેટરી વડે ચાર્જ કરવામાં આવે છે. બેટરી જોડાયેલી રહે છે અને જો કેપેસિટરની પ્લેટોને એવી રીતે અલગ કરવામાં આવે કે જેથી તેમની વચ્ચેનું અંતર મૂળ અંતર કરતા બમણું થઈ જાય,તો બેટરી દ્વારા કેપેસિટરને આપવામાં આવતી વધારાની ઉર્જા (જૂલમાં) કેટલી હશે?

સાચા વિધાનો ઓળખો:
$A$. કેપેસિટરોના શ્રેણી જોડાણનું અસરકારક કેપેસિટન્સ હંમેશા જોડાણમાં રહેલા સૌથી નાના કેપેસિટન્સ કરતા ઓછું હોય છે.
$B$. જ્યારે કેપેસિટરની ચાર્જ થયેલી પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક માધ્યમ મૂકવામાં આવે છે, ત્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિકના ઇન્સ્યુલેશન ગુણધર્મને કારણે વિદ્યુતભારોનું સ્થાનાંતર થઈ શકતું નથી.
$C$. કેપેસિટર પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ વધારવું અથવા ડાયઇલેક્ટ્રિકની જાડાઈ ઘટાડવી એ કેપેસિટન્સ વધારવાની વૈકલ્પિક રીત છે.
$D$. બિંદુવત વિદ્યુતભાર માટે, વિદ્યુતભારના સ્થાન પર કેન્દ્રિત સમકેન્દ્રીય ગોળાકાર કવચ એ સમસ્થિતિમાન પૃષ્ઠો છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.