જ્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થની સ્લેબને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે જે બેટરી સાથે જોડાયેલું રહે છે,ત્યારે પ્લેટો પરનો વિદ્યુતભાર અગાઉના વિદ્યુતભારની સાપેક્ષમાં:

એક કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $15\ \mu F$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2\ mm$ છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $K = 2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $t = 1\ mm$ જાડાઈ ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)?

આકૃતિમાં દર્શાવેલ ગોઠવણીને ધ્યાનમાં લો. જ્યારે કળ $K$ બંધ હોય ત્યારે સંગ્રહિત કુલ ઉર્જા $U_1$ છે. હવે કળ $K$ ને ખોલવામાં આવે છે અને બે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $\epsilon_r$ ધરાવતી બે ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. સ્લેબ પ્લેટોની વચ્ચે બરાબર ફિટ થઈ જાય છે. હવે સંગ્રહિત કુલ ઉર્જા $U_2$ છે. તો $U_1/U_2$ નો ગુણોત્તર શોધો.

બે ધાતુની પ્લેટો એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવે છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. $\frac{d}{2}$ જાડાઈની અને દરેક પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું જ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી એક ધાતુની શીટ પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. કેપેસિટરના નવા કેપેસિટન્સ અને મૂળ કેપેસિટન્સનો ગુણોત્તર શું હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $40 \ cm^2$ અને પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $2 \ mm$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $1 \ mm$ જાડાઈ અને $5$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે. સિસ્ટમનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે? ($\varepsilon_0 =$ શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી)

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની અડધી જગ્યા $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થથી ભરેલી છે. બાકીના અડધા ભાગમાં હવા છે. કેપેસિટરને $Q$ જેટલો વિદ્યુતભાર આપવામાં આવે છે. તો: