જ્યારે હાઇડ્રોજન પરમાણુમાં ઇલેક્ટ્રોન પ્રથમ ઉત્તેજિત અવસ્થામાંથી ધરા અવસ્થામાં કૂદકો મારે છે ત્યારે ઉત્સર્જિત એકવર્ણી વિકિરણ એક પ્રકાશસંવેદી પદાર્થ પર આપાત થાય છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3.57 \; V$ માપવામાં આવે છે. પદાર્થની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ......... $\times 10^{15} \; Hz$ છે.

જ્યારે $hv$ ઊર્જાનો ફોટોન એલ્યુમિનિયમની પ્લેટ (કાર્ય વિધેય $E_0$) પર આપાત થાય છે,ત્યારે મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $K$ ધરાવતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જ્યારે $2hv$ ઊર્જાનો ફોટોન તે જ એલ્યુમિનિયમની પ્લેટ પર આપાત થાય ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

એક ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) $5.01 \, eV$ છે. જ્યારે તેના પર $2000 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત થાય છે ત્યારે ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. સૌથી ઝડપી ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે લાગુ પાડવો પડતો પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $volt$ છે $[h = 4.14 \times 10^{-15} \, eV \cdot s]$

જ્યારે $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સામગ્રી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $E$ છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $3\nu$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

જો ફોટોસેલથી $0.2 \ m$ અંતરે રાખેલા ઉદ્ગમ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ $0.6 \ V$ હોય,તો તે જ ઉદ્ગમને $0.6 \ m$ અંતરે રાખતા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ .......... $V$ થશે.

જ્યારે એકવર્ણી પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.2 \ m$ ના અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ અને સંતૃપ્ત પ્રવાહ અનુક્રમે $0.6 \ V$ અને $18 \ mA$ છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.6 \ m$ દૂર મૂકવામાં આવે,તો: