જ્યારે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $8\,cm$ હોય ત્યારે તેની કેપેસિટન્સ $10\,\mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર ઘટાડીને $4\,cm$ કરવામાં આવે,તો આ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ.........$\mu F$ થશે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર $10^5 \, V/m$ છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટ પરનો વિદ્યુતભાર $1 \, \mu C$ હોય,તો દરેક કેપેસિટર પ્લેટ પર લાગતું બળ ...... $N$ છે.

એક ચાર્જ થયેલ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની અવાહક પ્લેટો (પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર ઓછું છે) સ્થિત-વિદ્યુત આકર્ષણને કારણે એકબીજાની નજીક આવી રહી છે. કોઈ અન્ય બળ કાર્યરત નથી અને કોઈ વિકિરણ થતું નથી તેમ ધારીને, નીચેનામાંથી કયો આલેખ પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત $(V)$ નો સમય $(t)$ સાથેનો ફેરફાર આશરે દર્શાવે છે?

$2\,\mu F$ ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ કેટલું હશે,જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $0.5\, cm$ હોય?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,કેપેસીટન્સ વધે છે જો

અવગણ્ય જાડાઈના એક એલ્યુમિનિયમ પતરાના સ્તરને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ: