એક ચાર્જ થયેલ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની અવાહક પ્લેટો (પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર ઓછું છે) સ્થિત-વિદ્યુત આકર્ષણને કારણે એકબીજાની નજીક આવી રહી છે. કોઈ અન્ય બળ કાર્યરત નથી અને કોઈ વિકિરણ થતું નથી તેમ ધારીને, નીચેનામાંથી કયો આલેખ પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત $(V)$ નો સમય $(t)$ સાથેનો ફેરફાર આશરે દર્શાવે છે?

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતભાર $Q$ છે. $t$ જેટલા અંતરે રહેલી તેની બે પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્રની તીવ્રતા કેટલી હશે?

$3\,F$ ના સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ કેટલું હશે,જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $5\,mm$ હોય?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટી (કેપેસિટન્સ) શેના વધારા સાથે વધે છે?

$10 \ cm$ ત્રિજ્યા ધરાવતી બે વર્તુળાકાર પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $0.15 \ A$ ના અચળ પ્રવાહ દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જો પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવતમાં થતો ફેરફારનો દર $7 \times 10^8 \ V/s$ હોય,તો સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેના અંતરનું પૂર્ણાંક મૂલ્ય $—$ (લો $\epsilon_0 = 9 \times 10^{-12} \ F/m, \pi = 22/7$) . . . . . . $\mu m$ છે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $12 \ \mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું અને પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ અડધું કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસીટન્સ ... $\mu F$ થશે.